Dissertação de Mestrado #441: Lídia Gomes

O presente trabalho aborda nanofios de silício cuja estabilidade pode ser alcançada a partir do encapsulamento de metais de transição das séries 4d (Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag) e 5d (Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au). É importante ressaltar que a estrutura utilizada como unidade fundamental para tais fios, que consiste de um prisma formado por duas faces hexagonais de silício com um metal de transição em seu centro, já foi sintetizada em trabalho experimental[1].