Dissertação de Mestrado #336: Lauro Carvalho

Este trabalho apresenta os procedimentos e os resultados de investigações, realizadas através de Espectroscopia de Fotoelétrons Excitados por Raios X (XPS), do crescimento de filmes finos de Ferro (Fe) sobre a superfície (100) de Arseneto de Gálio, mediados ou não pela presença de Césio (Cs) na interface entre o GaAs e o Fe. Três sistemas foram investigados, todos tendo como ponto de partida substratos cristalinos de Arseneto de Gálio orientados na direção (100), ricos em Arsênio, dopados por silício em concentração 5 x 1017 cm-3 , e crescidos através de Epitaxia por Feixe Molecular (MBE) sobre substratos GaAs(100) – p ou n – comercialmente adiquiridos. As deposições de Ferro foram feitas através de um evaporador por feixe de elétrons (Electron-Beam), e as deposições de Césio através de emissores SAES Getters comerciamente adquiridos. Os sistemas diferem entre si pela quantidade de Césio depositada na superfície do semicondutor antes da deposição de Fe: no primeiro, Fe:n-GaAs, não há Césio depositado, no segundo, Fe:Cs:n-GaAs, há uma subcamada atômica de Césio depositada sobre o substrato, e no terceiro, Fe:Cs:pnGaAs, cerca de 1 camada atômica de Césio foi depositas sobre o substrato antes que se iniciasse a deposição de Ferro. Todas as investigações neste trabalho foram realizadas à temperatura ambiente. Os nossos resultados para o sistema sem Cs estão completamente de acordo com o reportado na literatura, com a formação de uma camada reagida contendo aproximadamente 8 Å de Fe, e com As segregado para a superfície do filme formado.