Dissertação de Mestrado #332: Elisângela Pinto

Este trabalho objetiva apresentar os resultados obtidos no Laboratório de Nanoscopia da UFMG de modificações realizadas na superfície de materiais semicondutores, filmes metálicos e monocamadas auto-construídas (SAMS – Self-Assembled Monolayers) de moléculas orgânicas utilizando Microscopia de Força Atômica (AFM – Atomic force Microscopy). Estruturas unidimensionais de aproximadamente 20nm foram definidas em superfícies de materiais semicondutores (GaAs e Si) e filmes metálicos (Ti, Ni e Mo) através do processo de Nanolitografia por Oxidação Anódica (AON – Anodic Oxidation Nanolithography), neste processo, quando uma diferença de potencial entre a sonda do microscópio e a amostra é aplicada, uma reação eletroquímica ocorre na superfície da amostra, oxidando-a. A definição do padrão é feita pelo movimento relativo da sonda sobre a amostra. São discutidas as condições experimentais ideais, umidade relativa do ar, diferença de potencial, tempo de aplicação da tensão e velocidade de varredura, necessárias à otimização do processo de AON. Nanolitografias em amostras de SAMs de Ácido Octadecilfosfônico (OPA – Octadecyl Phosphonic Acid) sobre mica também foram realizadas. Observa-se que a presença de um campo elétrico entre a sonda e a amostra, diminui consideravelmente a força necessária para riscar a superfície das SAMs. As técnicas de AFM e Espectroscopia de Força foram utilizadas para analisar o processo de nanolitografia sobre as SAMs de OPA.