Dissertação de Mestrado #282: McGlennon Régis

No presente trabalho, estudamos o processamento por oxidação de AlAs em heteroestruturas semicondutoras. Nossos resultados mostram uma dependência direta do comprimento de oxidação com o tempo de exposição à atmosfera oxidante. Isso acarreta uma mudança na refletividade das heteroestruturas com um deslocamento da faixa de refletividade máxima para comprimentos de onda menores. Determinamos o perfil químico das estruturas e mostramos a perda de As nas regiões oxidadas. Nossos resultados mostram um desnível na fronteira entre as regiões oxidadas e nãooxidadas. Concluímos que o processo de oxidação ocorre significativamente nas camadas de AlAs, não sendo percebido o mesmo para as camadas de GaAs.