Dissertação de Mestrado #269: Angelo Souza

Este trabalho é um estudo de propriedades químicas e estruturais de ilhas de InAs crescidas sobre GaAs (001) utilizando resultados de espalhamento superficial de raios-X com radiação síncrotron. A técnica de difração de raios-X sob incidência rasante foi empregada para diferenciar ilhas coerentes e incoerentes em amostras crescidas a diferentes temperaturas e com coberturas variadas. Para isto foi feito um modelo de uma ilha piramidal deformada que permitiu correlacionar dimensões e estado de deformação das nanoestruturas no plano do substrato. O grau de interdifusão de GaAs proveniente do substrato foi obtido nas ilhas de maneira original, medindo-se diretamente a deformação volumétrica das células cristalinas. A razão de Poisson estabeleceu um limite elástico para a deformação tetragonal. Qualquer variação nesta deformação foi associada à presença de átomos de Ga nas ilhas.