Dissertação de Mestrado #237: Cláudio Oliveira

O sucesso do GaN cristalino com um material de aplicações eletrônicas e &opacute;pticas tem motivado enormes esforços teóricos e experimentais nos útimos anos, a fim de que sejam entendidas suas propriedades. Neste trabalho, apresentamos uma teoria quantitativa, embora modelar, dasuperfócie GaN (111) relaxada, segundo vários modelos e contendo defeitos nativos como vacâncias (VGa e VN) e defeitos de antisítios (NGa e GaN) contidos na sua camada superior. Nossa abordagem é baseada em Cálculos modelo ab initio de energia total de aglomeradosmoleculares planares de tamanhos variando de 1×1 a 6×6 anéis de Ga3N3. Acompanhamos a convergência dos estados eletrônicos de superfície, das cargas atômicas e densidades de estados, como uma função do tamanho do aglomerado molecular.