Dissertação de Mestrado #113: Ayrton Júnior
Crescimento e caracterização elétrica de camadas de GaAs com dopagem delta de silício crescida pela técnica de epitaxia por feixe molecular
Autor: Ayrton Torres de Oliveira Júnior
Banca Avaliadora
Paulo Sérgio Soares Guimarães (orientador), Física
UFMG
José Francisco de Sampaio, Física
UFMG
Wagner Nunes Rodrigues, Física
UFMG
Eliermes Arraes Meneses, UNICAMP
Orientadores
Paulo Sérgio Soares Guimarães
Departamento de Física, UFMG