Tese de Doutorado #327: Alejandro Cuadros

Nesta tese investigamos o fenômeno de chaveamento resistivo em dois sistemas distintos. O primeiro é o óxido TiO2, um composto padrão usado em memórias resistivas, com propriedades bem conhecidas. Em busca de novas possibilidades, nanopartículas de SnO2 foram inseridas na base do filme fino de TiO2, modificando o processo de formação do canal condutivo. Este canal pode ser descrito como uma trilha de óxido não-estequiométrico, no qual a condutividade elétrica é favorecida em relação a outras regiões deste tipo de dispositivo. Canais condutivos são parcialmente reversíveis, alternando estados de alta e baixa resistência dependendo da polaridade e intensidade do campo elétrico aplicado. Mostramos de maneira não-ambígua neste trabalho que nanopartículas de SnO2 podem guiar a formação de canais condutivos, sendo compatíveis com as tecnologias já desenvolvidas em dispositivos de TiO2. Um fenômeno semelhante é investigado em multicamadas de MoS2. Para este composto o chaveamento resistivo foi previamente observado em monocamadas. Nosso trabalho mostrou que é possível observar chaveamento resistivo unipolar aplicando-se um campo elétrico através das camadas (ao longo da direção de empilhamento). Medidas de microscopia de varredura por tunelamento mostram que as impurezas não tem um papel central na formação do canal condutivo, que não é estabelecido a baixas temperaturas (abaixo de 90K).