Dissertação de Mestrado #719 – Eduardo Afonso Moreira Santos – 01/03/2024

A notoriedade e o interesse crescente nos materiais bidimensionais, como o grafeno e o nitreto de boro hexagonal (h-BN) ocorre devido as suas propriedades unicas e potenciais aplicações em areas como transistores e sensores. Esses materiais oferecem flexibilidade na modulação de semicondutores e tem uma ampla superficie de contato. Metodos de manipulacao, como aplicacao de “strain” e insercao ou remoção de atomos, permitem ajustar suas propriedades. A compreensao das interfaces em heteroestruturas e’ crucial, pois influenciam propriedades de transporte e desempenho em dispositivos. O estudo em questao investiga as caracteristicas eletronicas de uma heteroestrutura de grafeno e h-BN, revelando a presença de estados magneticos itinerantes nas interfaces e bordas dos materiais. Os atomos de carbono na interface desempenham um papel significativo nos estados eletronicos proximos ao nivel de Fermi. Esses resultados sao fundamentais para entender as propriedades dessas heteroestruturas e podem guiar futuras aplicacoes em dispositivos eletronicos e magneticos.