Dissertação de Mestrado #332: Elisângela Pinto
Nanolitografia por microscopia de varredura por sonda
Autor: Elisângela Silva Pinto
Banca Avaliadora
Bernardo Ruegger Almeida Neves (orientador), Física
UFMG
Juan Carlos Gonzalez Perez, Física
UFMG
Wagner Nunes Rodrigues, Física
UFMG
Orientadores
Bernardo Ruegger Almeida Neves
Departamento de Física - UFMG
Resumo do Trabalho
Este trabalho objetiva apresentar os resultados obtidos no Laboratório de Nanoscopia da UFMG de modificações realizadas na superfície de materiais semicondutores, filmes metálicos e monocamadas auto-construídas (SAMS – Self-Assembled Monolayers) de moléculas orgânicas utilizando Microscopia de Força Atômica (AFM – Atomic force Microscopy). Estruturas unidimensionais de aproximadamente 20nm foram definidas em superfícies de materiais semicondutores (GaAs e Si) e filmes metálicos (Ti, Ni e Mo) através do processo de Nanolitografia por Oxidação Anódica (AON – Anodic Oxidation Nanolithography), neste processo, quando uma diferença de potencial entre a sonda do microscópio e a amostra é aplicada, uma reação eletroquímica ocorre na superfície da amostra, oxidando-a. A definição do padrão é feita pelo movimento relativo da sonda sobre a amostra. São discutidas as condições experimentais ideais, umidade relativa do ar, diferença de potencial, tempo de aplicação da tensão e velocidade de varredura, necessárias à otimização do processo de AON. Nanolitografias em amostras de SAMs de Ácido Octadecilfosfônico (OPA – Octadecyl Phosphonic Acid) sobre mica também foram realizadas. Observa-se que a presença de um campo elétrico entre a sonda e a amostra, diminui consideravelmente a força necessária para riscar a superfície das SAMs. As técnicas de AFM e Espectroscopia de Força foram utilizadas para analisar o processo de nanolitografia sobre as SAMs de OPA.