Dissertação de Mestrado #523: Bárbara Rosa
Propriedades ópticas de pontos quânticos de InAs em nanomembranas semicondutoras
Autor: Bárbara Luiza Teixeira Rosa
Banca Avaliadora
Paulo Sérgio Soares Guimaães (orientador)
Física - UFMG
Ângelo Malaquias Souza (co
orientador) - Física - UFMG
Hélio Chachan
Física - UFMG
Wagner Nunes Rodrigues
Física - UFMG
Orientadores
Paulo Sérgio Soares Guimaães (orientador)
Departamento de Física - UFMG
Ângelo Malaquias Souza (coorientador)
Departamento de Física - UFMG
Resumo do Trabalho
Neste trabalho estudamos como as propriedades ópticas de pontos quânticos de InAs crescidos dentro das nanomembranas semicondutoras de materiais III-V são afetadas pela proximidade de duas superfícies simetricamente localizadas. Medidas de fotoluminescência nos mostraram que a criação de nanomembranas favorece a recombinação elétron-buraco de estados excitados dos pontos quânticos em relação à emissão de pontos quânticos crescidos em heteroestruturas nanométricas fixas ao substrato. Este comportamento é explicado devido à s regiões de depleção causadas pela formação de uma região de cargas espacialmente distribuídas dentro do semicondutor para balancear as cargas presentes nos estados de superfície. Com isso, os pontos quânticos tornam-se regiões de mínimo de energia global dentro da nanomembrana, originando o efeito observado.