Seminário Geral: Cálculos ab initio das propriedades eletrônicas e de transporte de memórias resistivas

Alguns dielétricos apresentam estados estáveis de alta e baixa resistência à transmissão de corrente elétrica, que podem ser trocados entre si de maneira repetitiva pela ação de um campo elétrico. Tais estados de resistência podem ser  utilizados como memórias não voláteis, oferecendo importantes vantagens tecnológicas. Porém, ainda se debate a origem do estado de baixa resistência, comumente atribuido a canais formados por vacâncias de oxigênio no caso de óxidos. Neste seminário descreverei nosso esforço corrente em utilizar modelos atomísticos de memórias resistivas para o cálculo da estrutura eletrônica e características de transporte desses sistemas. Uma das grandezas essenciais a serem calculadas é a altura da barreira Schottky, que exige valores mais precisos para o gap de bandas que os encontrados comumente em cálculos DFT/GGA. Por outro lado, o número elevado de átomos nos sistemas simulados impede a utilização de técnicas de ordem mais alta, como GW. Uma nova teoria que traz melhoras significativas no gap sem custo computacional expressivo será apresentada. A expectativa é que estas simulações, em conjunto com o trabalho experimental desenvolvido no Laboratório de Física da Informação, forneçam uma melhor compreensão do estado de baixa resistência elétrica, e com isso abram novas perspectivas de avanço tecnológico racional.