Colóquio 28/11/2025: “Crescimento de semicondutores com alto descasamento de rede de rede via epitaxia convencional (CdTe/CdMnTe) e epitaxia de van der Waals (MnBi2Te4)”

A epitaxia por feixe molecular (MBE) é conhecida por ser o estado da arte (regra de ouro) do crescimento epitaxial. A técnica controla com precisão a estrutura, a composição química, as concentrações de dopagem e as taxas de deposição. A técnica de MBE pode produzir estruturas avançadas para o estudo de física básica, como materiais topológicos, supercondutividade, informação quântica e propriedades de transporte quântico, utilizando diferentes materiais e heteroestruturas. Neste seminário, o crescimento de nanomembranas semicondutoras combinando filmes finos de materiais dos grupos III-V e II-VI e o isolante topológico magnético (MnBi2Te4) serão abordados. O objetivo é mostrar os trabalhos recentes desenvolvidos pelo grupo sobre o crescimento de tais materiais com alta incompatibilidade de rede.
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Sobre o palestrante: 

Professor no Departamento de Física na Universidade Federal de Viçosa. Possui experiência na área de Física, com ênfase em Física da Matéria Condensada, atuando na caracterização de materiais semicondutores por meio da espectroscopia óptica e fabricação/crescimento de materiais nanoestrurados semicondutores. Acesso ao Lattes