Dissertação de Mestrado #560: Nestor Reina
Estrutura Electrônica em Materiais Bidimensionais: Metais de Transição Dicalcogenados (TMDs) e SiO2(sílica)
Autor: Nestor Javier Fajardo Reina
Banca Avaliadora
Ricardo Wagner Nunes (orientador)
Física - UFMG
Bernardo Ruegger de Almeida Neves
Física - UFMG
Matheus Josué de Souza Matos
DFM/CEFET
Orientadores
Ricardo Wagner Nunes (orientador)
Departamento de Física - UFMG
Elie Albert Moujaes (coorientador)
UNIR
Resumo do Trabalho
Usando a metodologia de primeiros principios, com base na teoria do funcional da densidade (DFT), são abordados três problemas: em primeiro lugar, o estudo da estrutura eletrônica e fonônica de monocamadas de metais de transição dicalcogenados (TMDs) (MoS2, MoSe2 e MoTe2). É obtida a estrutura de bandas, o gap de energia e os modos mormais de vibração, em boa concordância com valores experimentais. Os modos normais e as relações de dispersão para os fônons foram obtidos considerando as vibrações da rede, na aproximação linear tratada como uma perturbação às equações de Kohn-Sham, no esquema proposto por S. Baroni. et.al.(GIANOZZI, 2001). Num segundo lugar, é apresentada uma estimativa da barreira de formação do defeito tipo Stone-Wales na sílica (SiO2) usando o método NEB (Nudged Elastic Band) implementado no programa VASP. E finalmente, são apresentados os primeiros passos de um estudo de fronteiras de grão em metais de transição dicalcogenados, estudando o defeito tipo 5-7, e mostrando que este tipo de defeito pode eventualmente explicar os ângulos que se observam experimentalmente entre as diferentes regiões cristalinas de uma amostra. São usados os programas QUANTUM ESPRESSO (GIANOZZI, 2009), VASP (KRESSE, 1996) e SIESTA (SOLER, 2002), em cada uma das três partes do trabalho respectivamente.