Dissertação de Mestrado #551: Thaís Oliveira

A microscopia eletrônica de transmissão de alta resolução, permite a determinação da estrutura cristalina de materiais. Hoje em dia existem pelo menos duas abordagens: a difração de elétrons similar à difração de raios-X e a determinação da estrutura através reconstrução por série focal de imagens de microscopia eletrônica de transmissão de alta resolução. Adicionalmente a microscopia eletrônica de transmissão e varredura de alta resolução (STEM), aliada a espectroscopia de perda de energia de elétrons (EELS) em microscópios de ultra alta resolução com corretores de aberração esférica e monocromador tem mostrado bons resultados em diversos casos. Contudo, a interpretação e quantificação de imagens de alta resolução é complexa, devido à forte interação do feixe de elétrons com a matéria. Além disto, a função de onda emitida pela amostra é modificada pelos componentes do microscópio. As imagens de microscopia de alta resolução são uma convolução da função de onda do feixe incidente difratada pela amostra e modificada pelo microscópio, de forma que cada contraste observado na imagem representa um efeito de interferência. Para realizar esse estudo foram utilizados dois materiais, o Silício, que é bem conhecido na literatura e o Telureto de Bismuto, um material termoelétrico e com propriedades de isolante topológico. O objetivo principal é implantar a técnica de reconstrução por série focal para a determinação da estrutura atômica em ligas de telureto de bismuto intercaladas com estanho e selênio.