Dissertação de Mestrado #523: Bárbara Rosa

Neste trabalho estudamos como as propriedades ópticas de pontos quânticos de InAs crescidos dentro das nanomembranas semicondutoras de materiais III-V são afetadas pela proximidade de duas superfícies simetricamente localizadas. Medidas de fotoluminescência nos mostraram que a criação de nanomembranas favorece a recombinação elétron-buraco de estados excitados dos pontos quânticos em relação à emissão de pontos quânticos crescidos em heteroestruturas nanométricas fixas ao substrato. Este comportamento é explicado devido às regiões de depleção causadas pela formação de uma região de cargas espacialmente distribuídas dentro do semicondutor para balancear as cargas presentes nos estados de superfície. Com isso, os pontos quânticos tornam-se regiões de mínimo de energia global dentro da nanomembrana, originando o efeito observado.