Dissertação de Mestrado #459: Thiago Sá

Neste trabalho, investigamos o processo de crescimento bem como a estrutura do grafeno epitaxial crescido em substratos de carbeto de silício (SiC) face do carbono. O crescimento foi realizado à pressão atmosférica em um forno sob atmosfera de Argônio (Ar). A produção do grafeno acontece quando aquecemos o substrato de SiC à temperaturas em torno de 1700 oC. Nesta condição, ocorre a sublimação dos átomos de Si, onde os carbonos remanescentes se ligam na forma sp2 do grafeno. Técnicas de difração de raios-x, espectroscopia Raman e espectroscopia de varredura por sonda foram utilizadas para caracterizar o material produzido. Análises dos espectros de Raman mostraram um material com estrutura semelhante ao grafeno. Por outro lado, a técnica de difração de raios-x indicou a presença de muitas camadas de grafeno. Esses resultados demonstram que o material preparado pode ser considerado um grafite desacoplado, onde a interação entre os planos é fraca e cada um destes se comporta como um grafeno isolado. Esse material possui um grande potencial para aplicações do grafeno em microeletrônica.