Tese de Doutorado #314: Nestor Taborda

Este trabalho apresenta os resultados experimentais e teóricos obtidos da análise do crescimento de nanofios de ligas ternárias de Inx[Ga](1-x)As, com frações molares de 5,10,15 e 20% de InAs e da caracterização das propriedades elétricas de nanofios tipo-p de GaAs dopados com magnésio e Silício. O trabalho é dividido em 6 capítulos. No capítulo 1 faremos uma pequena revisão das propriedades eletrônicas, os mecanismos de dopagem tipo-p e tipo-n, espalhamento Raman e os mecanismos de crescimento dos nanofios utilizados neste trabalho. No capítulo 2 abordaremos, também, brevemente as técnicas experimentais utilizadas para o crescimento e caracterização dos nanofios. O capitulo 3 trata da caracterização morfológicas e propriedades estruturais dos nanofios de InGaAs. O capitulo 4 está dedicado à caracterização elétrica de nanofios de GaAs dopados com Mg. No capítulo 4 será mostrado os principais resultados da caracterização elétrica de nanofios de GaAs dopados com Si. O cap*iacute;tulo 6 está dedicado ao estudo da dopagem com Si dos nanofios via espectroscopia Raman na geometria de transmissão.