Tese de Doutorado #233: Além-Mar Gonçalves
Crescimento, propriedades estruturais e eletrônicas de grafeno epitaxial
Autor: Além-Mar Bernardes Gonçalves
Banca Avaliadora
Rogério Magalhães Paniago (coorientador), Física
UFMG
Ricardo Wagner Nunes, Física
UFMG
Leandro Malard Moreira, Física
UFMG
Abner de Siervo
IF/UNICAMP
Sérgio de Souza Camargo Jr.
UFRJ
Orientadores
Rodrigo Gribel Lacerda (orientador)
Departamento de Física - UFMG
Rogério Magalhães Paniago (coorientador)
Departamento de Física - UFMG
Resumo do Trabalho
Apresentamos estudos das características estruturais de filmes de várias camadas de Grafeno epitaxial crescidos em substratos de Carbeto de Silício em ambas as faces polares do substrato. Foi identificada a existência de uma fase meta-estável que surge durante o crescimento de multicamadas de Grafeno epitaxial na face do silicio do SiC. Essa fase é composta por átomos de Carbono e Silício que, devido ao processo de sublimação incompleto, acabam se ligando ao Grafeno formando um material diferente.