Tese de Doutorado #233: Além-Mar Gonçalves

Crescimento, propriedades estruturais e eletrônicas de grafeno epitaxial

Autor: Além-Mar Bernardes Gonçalves

Banca Avaliadora

Rogério Magalhães Paniago (coorientador), Física

UFMG

Ricardo Wagner Nunes, Física

UFMG

Leandro Malard Moreira, Física

UFMG

Abner de Siervo

IF/UNICAMP

Sérgio de Souza Camargo Jr.

UFRJ

Orientadores

Rodrigo Gribel Lacerda (orientador)

Departamento de Física - UFMG

Rogério Magalhães Paniago (coorientador)

Departamento de Física - UFMG

Resumo do Trabalho

Apresentamos estudos das características estruturais de filmes de várias camadas de Grafeno epitaxial crescidos em substratos de Carbeto de Silício em ambas as faces polares do substrato. Foi identificada a existência de uma fase meta-estável que surge durante o crescimento de multicamadas de Grafeno epitaxial na face do silicio do SiC. Essa fase é composta por átomos de Carbono e Silício que, devido ao processo de sublimação incompleto, acabam se ligando ao Grafeno formando um material diferente.