Tese de Doutorado #178: Andreza Silva

Propriedades ópticas e elétricas de pontos quânticos semicondutores de InAs

Autor: Andreza Germana da Silva

Banca Avaliadora

Paulo Sérgio Soares Guimarães (orientador), Física

UFMG

Franklin Massami Matinaga, Física

UFMG

Ricardo Wagner Nunes, Física

UFMG

Álvaro José Magalhães Neves, Física

UFV

Yara Galvão Gobato, Instituto de Física

UFSCAR

Orientadores

Paulo Sérgio Soares Guimarães

Departamento de Física - UFMG

Resumo do Trabalho

Neste trabalho, reportamos sobre as propriedades ópticas e elétricas de pontos quânticos semicondutores de InAs em duas diferentes situações. Primeiramente, fizemos medidas de magnetotunelamento em multicamadas de pontos quânticos autoorganizados na presença de campos magnéticos de até 12 T. Observamos tunelamento entre estados de pontos quânticos pertencentes a camadas adjacentes e a elevados campos magnéticos, devido ao efeito Zeeman, nós mostramos evidências de tunelamento através de estados quasi-zero dimensionais com polariza&ção de spin. Comprovamos que os fatores g dos pontos quânticos de camadas adjacentes são fortemente afetados pela quantidade de confinamento.