Tese de Doutorado #178: Andreza Silva
Propriedades ópticas e elétricas de pontos quânticos semicondutores de InAs
Autor: Andreza Germana da Silva
Banca Avaliadora
Paulo Sérgio Soares Guimarães (orientador), Física
UFMG
Franklin Massami Matinaga, Física
UFMG
Ricardo Wagner Nunes, Física
UFMG
Álvaro José Magalhães Neves, Física
UFV
Yara Galvão Gobato, Instituto de Física
UFSCAR
Orientadores
Paulo Sérgio Soares Guimarães
Departamento de Física - UFMG
Resumo do Trabalho
Neste trabalho, reportamos sobre as propriedades ópticas e elétricas de pontos quânticos semicondutores de InAs em duas diferentes situações. Primeiramente, fizemos medidas de magnetotunelamento em multicamadas de pontos quânticos autoorganizados na presença de campos magnéticos de até 12 T. Observamos tunelamento entre estados de pontos quânticos pertencentes a camadas adjacentes e a elevados campos magnéticos, devido ao efeito Zeeman, nós mostramos evidências de tunelamento através de estados quasi-zero dimensionais com polariza&ção de spin. Comprovamos que os fatores g dos pontos quânticos de camadas adjacentes são fortemente afetados pela quantidade de confinamento.