Tese de Doutorado #150: Moisés Araújo
Estudos teóricos sobre discordâncias cristalinas em silício
Autor: Moisés Augusto da Silva Monteiro de Araújo
Banca Avaliadora
Ricardo Wagner Nunes (orientador), Física
UFMG
Hélio Chacham , Física
UFMG
Luiz Orlando Ladeira , Física
UFMG
Pedro Paulo de Mello Venezuela, Instituto de Física
UFF
Rodrigo Barbosa Capaz, Instituto de Física
UFRJ
Orientadores
Ricardo Wagner Nunes
Departamento de Física - UFMG
Resumo do Trabalho
Neste trabalho investigamos propriedades eletrônicas e estruturais das discordâncias cristalinas que são importantes para o entendimento: (i) dos mecanismos associados à sua mobilidade pela matriz cristalina; (ii) do papel que elas exercem nos processos de espalhamento e recombinação de portadores de cargas em semicondutores. Ambas análises foram feitas em silício. Na abordagem do primeiro ponto, consideramos como o efeito de carga elétrica nas discordâncias cristalinas parciais a 30° e 90° influencia na estabilidade relativa entre os modelos propostos para a estrutura de seus caroços. De uma forma geral, observamos que estruturas de caroço não se estabilizam em estados de carga positivos. Além disso, nos estados de carga negativos, a estabilidade relativa da reconstrução é diminuída na parcial a 30°, enquanto que na parcial a 90° identificamos uma possível transição entre as geometrias reconstruídas e a não reconstruída. Desta forma, pudemos estabelecer algumas evidências que estão de acordo com observações experimentais de que as discordâncias cristalinas em silício são mais móveis em cristais sob o regime de dopagem tipo-n.